Le premier transistor métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) a été inventé en 1959 par Mohamed M. Atalla et Dawon Kahng des Bell Labs. Le MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) a été inventé par Kahng et Atalla en 1959, et le premier dispositif CMOS (MOS complémentaire) commercial a été produit en 1968 par Fairchild Semiconductor.
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